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BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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Technische Details BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC019N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360663.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002262995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C276C164B8C11C&compId=BSC019N04LS-DTE.pdf?ci_sign=24f98007f7062467d0d86250c8fc347c8ca5891a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C276C164B8C11C&compId=BSC019N04LS-DTE.pdf?ci_sign=24f98007f7062467d0d86250c8fc347c8ca5891a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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