BSC019N04LSATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
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Technische Details BSC019N04LSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote BSC019N04LSATMA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC019N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC019N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.51 EUR |
| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.51 EUR |
| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 0.96 EUR |
| 5000+ | 0.76 EUR |
| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
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Produktpalette: OptiMOS
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 66+ | 3.8 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
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| BSC019N04LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)