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BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc019n04nsg-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V.

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BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc019n04nsg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC019N04NS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360549.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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