BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 1.63 EUR |
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Technische Details BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC019N06NSATMA1 nach Preis ab 1.04 EUR bis 3.68 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 5934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 14722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 14722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A Technology: MOSFET Gate-source voltage: 20V Application: automotive industry |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL О Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 4 Stücke: |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
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| BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 60V 100A (Ta) 136W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V |
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BSC019N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V |
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