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BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.17 EUR
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Technische Details BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.

Weitere Produktangebote BSC019N06NSATMA1 nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.55 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.55 EUR
10000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 12297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
12+1.77 EUR
25+1.61 EUR
100+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.11 EUR
80+2.15 EUR
81+2.08 EUR
100+1.73 EUR
250+1.68 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC019N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.34 EUR
100+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.52 EUR
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 INFINEON 2718679.pdf Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
86+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 INFINEON 2718679.pdf Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.55 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.55 EUR
10000+1.49 EUR
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 12297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.45 EUR
12+1.77 EUR
25+1.61 EUR
100+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.11 EUR
80+2.15 EUR
81+2.08 EUR
100+1.73 EUR
250+1.68 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4055 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.52 EUR
10+2.34 EUR
100+1.96 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.52 EUR
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
86+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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BSC019N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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