BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC020N03LSGATMA1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.08 EUR
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC020N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R |
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