BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC022N04LS6ATMA1 nach Preis ab 0.82 EUR bis 7.09 EUR
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 23733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 FL Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC022N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 FL |
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