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BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
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10+2.01 EUR
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1000+1.00 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
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