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BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.85 EUR
25+1.83 EUR
100+1.39 EUR
250+1.36 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2000+0.92 EUR
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BSC022N04LSATMA1 Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf
BSC022N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC022N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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