BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET

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Technische Details BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Weitere Produktangebote BSC023N08NS5SCATMA1 nach Preis ab 3.04 EUR bis 6.25 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	BSC023N08NS5SCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V	auf Bestellung 3901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 6.25 EUR 10+  5.24 EUR 100+  4.24 EUR 500+  3.77 EUR 1000+  3.23 EUR 2000+  3.04 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	BSC023N08NS5SCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	SP005561403	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	BSC023N08NS5SCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen