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BSC024NE2LSATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4358 Stücke:
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4358 Stücke:
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256+0.63 EUR
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4992 Stücke:
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214+0.82 EUR
217+0.8 EUR
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC024NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360737.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3089 Stücke:
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10+1.59 EUR
100+1.14 EUR
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12371 Stücke:
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9+2.4 EUR
14+1.59 EUR
100+1.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon TBSC024ne2ls_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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14+1.59 EUR
100+1.14 EUR
500+0.96 EUR
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2000+0.81 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
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