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BSC025N03LSGATMA1

BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies


BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:

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Anzahl Preis
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Technische Details BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
578+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 578
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC025N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360718.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5000 Stücke:
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10+1.87 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
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2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 38848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.25 EUR
10+1.84 EUR
100+1.43 EUR
500+1.22 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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