Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC025N03MSGATMA1
BSC025N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC025N03MSGATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC025N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360591.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
525+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
525+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+1.59 EUR
139+1.03 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.07 EUR
93+1.54 EUR
139+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH