BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 253+ | 0.69 EUR |
| 257+ | 0.67 EUR |
| 261+ | 0.64 EUR |
| 265+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 3000+ | 0.56 EUR |
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Technische Details BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC025N03MSGATMA1 nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 14500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC025N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 0.7 EUR |
| 253+ | 0.67 EUR |
| 257+ | 0.63 EUR |
| 261+ | 0.6 EUR |
| 265+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 3000+ | 0.49 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.73 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.74 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.01 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 583+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 583+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 10000+ | 0.89 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 583+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 161+ | 1.44 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| BSC025N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.12 EUR |
| 11+ | 1.98 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |