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BSC025N08LS5ATMA1

BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc025n08ls5-datasheet-v02_04-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n08ls5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n08ls5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n08ls5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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183+3.57 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+3.83 EUR
25+3.62 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC025N08LS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.96 EUR
100+3.45 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.06 EUR
2500+2.92 EUR
5000+2.68 EUR
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.5 EUR
250+4.31 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n08ls5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
34+5.16 EUR
50+4.59 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.02 EUR
2000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSC025N08LS5ATMA1 BSC025N08LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC025N08LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c46568213e4 Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
50+5.18 EUR
250+4.02 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5000+2.75 EUR
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auf Bestellung 385000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
183+3.57 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
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BSC025N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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34+5.16 EUR
50+4.59 EUR
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1000+3.02 EUR
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BSC025N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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37+6.82 EUR
50+5.18 EUR
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