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BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.61 EUR
10000+0.57 EUR
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Technische Details BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Weitere Produktangebote BSC027N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N04LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 25015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.44 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 21174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.68 EUR
67+2.52 EUR
100+1.98 EUR
250+1.92 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
64+2.52 EUR
67+2.33 EUR
100+1.8 EUR
250+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.12 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 14502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
107+2.19 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 14502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
107+2.19 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.11 EUR
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AnzahlPrivatkunde
5000+1.78 EUR
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 25015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.12 EUR
10+1.44 EUR
100+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 21174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.68 EUR
67+2.52 EUR
100+1.98 EUR
250+1.92 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.27 EUR
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BSC027N04LSGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.07 EUR
64+2.52 EUR
67+2.33 EUR
100+1.8 EUR
250+1.69 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.12 EUR
3000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 14502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
107+2.19 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 14502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
107+2.19 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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46+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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