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BSC027N10NS5ATMA1

BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
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Technische Details BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+4.3 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 9400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+4.3 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 5313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.91 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc027n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+10 EUR
10+5.21 EUR
100+4.76 EUR
500+4.25 EUR
1000+4.08 EUR
2500+4.02 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
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3+10.2 EUR
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50+5.32 EUR
100+4.84 EUR
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BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 5313 Stücke:
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19+13.45 EUR
29+8.16 EUR
100+5.91 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
5000+4.22 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+4.25 EUR
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BSC027N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
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100+5.91 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 6800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 6800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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10+5.21 EUR
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1000+4.08 EUR
2500+4.02 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
auf Bestellung 9357 Stücke:
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3+10.2 EUR
10+6.79 EUR
50+5.32 EUR
100+4.84 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC027N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 5313 Stücke:
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19+13.45 EUR
29+8.16 EUR
100+5.91 EUR
500+5.03 EUR
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