BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
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Technische Details BSC028N06LS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 139W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote BSC028N06LS3 G nach Preis ab 2.46 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSC028N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSC028N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC028N06LS3G | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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