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BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
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250+3.37 EUR
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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34+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.93 EUR
50+3.01 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc028n06ls3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3817 Stücke:
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1234 Stücke:
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30+8.45 EUR
50+4.71 EUR
250+3.37 EUR
1000+2.65 EUR
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BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC024NE2LS-DataSheet-v02_04-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
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BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
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5000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
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1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13868 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
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50+3.01 EUR
100+2.73 EUR
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BSC028N06LS3GATMA1
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MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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1+6.24 EUR
10+3.22 EUR
100+2.78 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
BSC028N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
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50+4.71 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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