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BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
31+2.32 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360863.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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10+2.68 EUR
100+2.15 EUR
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2500+1.66 EUR
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc028n06ns_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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