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BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.14 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.18 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 20038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
250+2.94 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.39 EUR
26+3.39 EUR
29+2.96 EUR
50+2.23 EUR
100+2.01 EUR
250+1.78 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.12 EUR
49+3.49 EUR
100+2.58 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.74 EUR
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.12 EUR
49+3.57 EUR
100+2.69 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.94 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 12127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.87 EUR
10+4.19 EUR
100+3.12 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.43 EUR
5000+2.18 EUR
10000+2.07 EUR
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 20003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
54+4.34 EUR
250+2.94 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1407 Stücke:
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.25 EUR
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100+1.84 EUR
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1000+1.36 EUR
2000+1.32 EUR
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 20038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.34 EUR
250+2.94 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1650 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+4.39 EUR
26+3.39 EUR
29+2.96 EUR
50+2.23 EUR
100+2.01 EUR
250+1.78 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSC028N06NSATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.12 EUR
49+3.49 EUR
100+2.58 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.74 EUR
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.12 EUR
49+3.57 EUR
100+2.69 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.94 EUR
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 12127 Stücke:
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1+6.87 EUR
10+4.19 EUR
100+3.12 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.43 EUR
5000+2.18 EUR
10000+2.07 EUR
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BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 20003 Stücke:
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33+7.75 EUR
54+4.34 EUR
250+2.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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