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BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC030N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360864.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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204+0.73 EUR
227+0.63 EUR
229+0.60 EUR
253+0.52 EUR
255+0.50 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 204
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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