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BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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auf Bestellung 2821 Stücke:
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204+0.86 EUR
227+0.74 EUR
229+0.7 EUR
253+0.62 EUR
255+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N03LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8480 Stücke:
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2+2.24 EUR
10+1.46 EUR
100+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 19542 Stücke:
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9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON INFNS16147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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80+3.15 EUR
121+1.92 EUR
178+1.2 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
275+0.63 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
204+0.86 EUR
227+0.74 EUR
229+0.7 EUR
253+0.62 EUR
255+0.58 EUR
500+0.52 EUR
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10+1.46 EUR
100+1 EUR
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1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
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BSC030N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 69W
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Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2747 Stücke:
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