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BSC030N03MSGATMA1

BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Weitere Produktangebote BSC030N03MSGATMA1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.54 EUR
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.6 EUR
10000+0.57 EUR
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.8 EUR
218+0.77 EUR
500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.81 EUR
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 9818 Stücke:
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9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC030N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 9641 Stücke:
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2+2.93 EUR
10+1.65 EUR
100+1.15 EUR
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1000+0.8 EUR
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5000+0.68 EUR
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON INFNS16148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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5000+0.81 EUR
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BSC030N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 9818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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14+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
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MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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2+2.93 EUR
10+1.65 EUR
100+1.15 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1 INFNS16148-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC030N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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