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BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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279+0.56 EUR
280+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3287 Stücke:
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114+0.75 EUR
122+0.7 EUR
129+0.67 EUR
143+0.6 EUR
177+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
121+1.92 EUR
164+1.31 EUR
500+1.13 EUR
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 4421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPrivatkunde
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270+0.64 EUR
281+0.6 EUR
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500+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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237+0.74 EUR
254+0.67 EUR
268+0.61 EUR
279+0.56 EUR
280+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3287 Stücke:
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114+0.75 EUR
122+0.7 EUR
129+0.67 EUR
143+0.6 EUR
177+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
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164+1.31 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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1000+1.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
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