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BSC030P03NS3 G

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC030P03NS3G BSC030P03NS3G Infineon info-tbsc030p03ns3g.pdf P-MOSFET 30V 100A BSC030P03NS3G Infineon TBSC030p03ns3g
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
100+1.24 EUR
250+1.1 EUR
500+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 14308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
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2500+1.42 EUR
5000+1.37 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.03 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.66 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC030P03NS3 G Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030P03NS3G.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
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BSC030P03NS3G info-tbsc030p03ns3g.pdf
BSC030P03NS3G
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 30V 100A BSC030P03NS3G Infineon TBSC030p03ns3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 14308 Stücke:
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1+4.38 EUR
10+2.83 EUR
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1000+1.47 EUR
2500+1.42 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
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BSC030P03NS3 G
Hersteller: Infineon
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon-BSC030P03NS3G.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
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BSC014N04LSI
Produktcode: 196252
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Transistoren > MOSFET N-CH
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