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BSC030P03NS3 G

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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121+1.2 EUR
122+1.15 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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111+1.31 EUR
121+1.16 EUR
122+1.11 EUR
134+0.97 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030P03NS3G BSC030P03NS3G Hersteller : Infineon info-tbsc030p03ns3g.pdf P-MOSFET 30V 100A BSC030P03NS3G Infineon TBSC030p03ns3g
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
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27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
100+1.24 EUR
250+1.1 EUR
500+1 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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47+3.12 EUR
69+2.05 EUR
100+1.76 EUR
500+1.42 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 14308 Stücke:
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1+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
2500+1.42 EUR
5000+1.37 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.03 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.66 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8591 Stücke:
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9829 Stücke:
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BSC030P03NS3 G Hersteller : Infineon
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BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC030P03NS3G.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: 18
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BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
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BSC014N04LSI
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