BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC030P03NS3GAUMA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 4.38 EUR
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Verfügbarkeit |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3 |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
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