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BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.54 EUR
10000+0.5 EUR
15000+0.49 EUR
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Technische Details BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Weitere Produktangebote BSC032N04LSATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
57+1.51 EUR
65+1.31 EUR
76+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.21 EUR
118+1.46 EUR
200+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 22441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 4169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.69 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+1.81 EUR
57+1.51 EUR
65+1.31 EUR
76+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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auf Bestellung 18430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
79+2.21 EUR
118+1.46 EUR
200+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.77 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 22441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.61 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 4169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.81 EUR
10+1.69 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 24971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.2 EUR
112+2.08 EUR
250+1.27 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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