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BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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auf Bestellung 14182 Stücke:
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88+1.98 EUR
131+1.31 EUR
171+0.99 EUR
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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131+1.29 EUR
171+0.95 EUR
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
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10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc032n04ls_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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2+2.24 EUR
10+1.04 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 22075 Stücke:
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90+2.8 EUR
192+1.21 EUR
250+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 22075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
192+1.21 EUR
250+1.02 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1113 Stücke:
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032N04LSATMA1
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Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+1.98 EUR
131+1.31 EUR
171+0.99 EUR
191+0.86 EUR
500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+1.98 EUR
131+1.29 EUR
171+0.95 EUR
191+0.82 EUR
500+0.6 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 infineon_bsc032n04ls_datasheet_en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 62992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.24 EUR
10+1.04 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 22075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
192+1.21 EUR
250+1.02 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 22075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
192+1.21 EUR
250+1.02 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LS-DTE.pdf
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 infineonbsc032n04lsdatasheetv0202en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH