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BSC034N06NSATMA1

BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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Technische Details BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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500+1.07 EUR
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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111+1.58 EUR
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118+1.43 EUR
126+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc034n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17334 Stücke:
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110+2.27 EUR
136+1.71 EUR
147+1.46 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3105 Stücke:
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8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 358 Stücke:
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1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.57 EUR
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON 2354550.pdf Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 7069 Stücke:
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37+6.82 EUR
61+3.81 EUR
100+2.52 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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5000+1.2 EUR
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AnzahlPrivatkunde
111+1.58 EUR
117+1.44 EUR
118+1.37 EUR
126+1.24 EUR
250+1.17 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.94 EUR
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117+1.46 EUR
118+1.43 EUR
126+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
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109+1.57 EUR
119+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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BSC034N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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1000+1.37 EUR
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BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1 Infineon_BSC034N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.51 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1 2354550.pdf
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 7069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.82 EUR
61+3.81 EUR
100+2.52 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH