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BSC035N10NS5ATMA1

Name: BSC035N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2573254-5
Price: 9100.00 EUR
Availability: InStock

Infineon-BSC035N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae8b5f3bc1b6f

Produktcode: 192220

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BSC035N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

infineon-bsc035n10ns5-datasheet-v02_05-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC035N10NS5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC035N10NS5ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Infineon Technologies

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250+	2.13 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.9 EUR
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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

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Infineon Technologies

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INFINEON

INFN-S-A0002864774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

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Infineon Technologies

MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5

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BSC035N10NS5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

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BSC035N10NS5ATMA1

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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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3000+	1.71 EUR

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

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Anzahl	Privatkunde
56+	3.15 EUR
69+	2.45 EUR
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100+	2.07 EUR
250+	1.98 EUR
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Anzahl	Privatkunde
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Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

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Anzahl	Privatkunde
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BSC035N10NS5ATMA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

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Anzahl	Privatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5

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100+	3.12 EUR
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BSC035N10NS5ATMA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 384 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
32+	8.04 EUR
50+	5.06 EUR
250+	3.37 EUR

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