Weitere Produktangebote BSC036NE7NS3GATMA1 nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 6026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 |
auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 75V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
|
|
BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |