Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
Produktcode: 185447
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSC036NE7NS3GATMA1 nach Preis ab 1.37 EUR bis 7.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
83+2.02 EUR
84+1.94 EUR
113+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
83+2.07 EUR
84+2.01 EUR
113+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
51+3.38 EUR
100+3.19 EUR
250+3.03 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.67 EUR
5000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.4 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 9973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
100+2.18 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC036NE7NS3_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+4.32 EUR
100+3 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.12 EUR
5000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
53+4.4 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.48 EUR
83+2.02 EUR
84+1.94 EUR
113+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.48 EUR
83+2.07 EUR
84+2.01 EUR
113+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 infineon-bsc036ne7ns3g-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.57 EUR
51+3.38 EUR
100+3.19 EUR
250+3.03 EUR
500+2.9 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.67 EUR
5000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.4 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 9973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
100+2.18 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon_BSC036NE7NS3_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.64 EUR
10+4.32 EUR
100+3 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.12 EUR
5000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.79 EUR
53+4.4 EUR
250+3.08 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH