BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC036NE7NS3GATMA1 nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.77 EUR
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
auf Bestellung 12210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC036NE7NS3GATMA1 Produktcode: 185447
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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