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BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.42 EUR
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Technische Details BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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54+3.25 EUR
56+3.08 EUR
100+2.28 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.08 EUR
5000+0.95 EUR
7500+0.86 EUR
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
54+3.11 EUR
59+2.76 EUR
100+2.08 EUR
250+1.92 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
54+3.18 EUR
59+2.87 EUR
100+2.2 EUR
250+2.07 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 10677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
250+2.98 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
auf Bestellung 19961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.27 EUR
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1+5.76 EUR
10+3.53 EUR
100+2.67 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.7 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 10677 Stücke:
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33+7.75 EUR
53+4.45 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9740 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
54+3.25 EUR
56+3.08 EUR
100+2.28 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.15 EUR
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5000+0.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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54+3.11 EUR
59+2.76 EUR
100+2.08 EUR
250+1.92 EUR
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54+3.18 EUR
59+2.87 EUR
100+2.2 EUR
250+2.07 EUR
500+1.57 EUR
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BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 10677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.45 EUR
250+2.98 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
auf Bestellung 19961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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auf Bestellung 10898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.76 EUR
10+3.53 EUR
100+2.67 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.7 EUR
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Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 10677 Stücke:
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250+2.98 EUR
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