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BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc039n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
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212+0.82 EUR
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Technische Details BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7 Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
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5000+1.23 EUR
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auf Bestellung 2424 Stücke:
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141+1.24 EUR
142+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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143+1.2 EUR
145+1.17 EUR
200+1.06 EUR
2000+1.01 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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142+1.14 EUR
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133+1.24 EUR
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277+1.89 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
10000+1.32 EUR
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114+1.43 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6748 Stücke:
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100+2.65 EUR
121+1.93 EUR
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BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC039N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360752.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
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5000+1.2 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 50012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 3 Stücke:
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BSC039N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.23 EUR
10000+1.18 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.24 EUR
142+1.2 EUR
155+1.08 EUR
250+1.06 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
136+1.29 EUR
143+1.2 EUR
145+1.17 EUR
200+1.06 EUR
2000+1.01 EUR
5000+1 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2408 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
125+1.4 EUR
141+1.19 EUR
142+1.14 EUR
155+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
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113+1.55 EUR
114+1.51 EUR
117+1.44 EUR
133+1.24 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13131 Stücke:
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277+1.89 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 82226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
277+1.89 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+1.95 EUR
113+1.5 EUR
114+1.43 EUR
117+1.33 EUR
132+1.13 EUR
250+1.08 EUR
500+1 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC039N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
121+1.93 EUR
250+1.57 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC039N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.82 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.24 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c3adce949c7
BSC039N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 50012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NSATMA1 INFNS19733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC039N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC039N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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