BSC0402NSATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
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Technische Details BSC0402NSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 139W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSC0402NSATMA1 nach Preis ab 2.62 EUR bis 8.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC0402NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0402NSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0402NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0402NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.43 EUR |
| 10+ | 4.58 EUR |
| 25+ | 4.13 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 250+ | 3.22 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| BSC0402NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.56 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 2.84 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| 2000+ | 2.62 EUR |
| BSC0402NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0402NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 80 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 8.95 EUR |
| 43+ | 5.45 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |