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BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies


dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
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Technische Details BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0035 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+0.72 EUR
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91+1.64 EUR
107+1.34 EUR
124+1.11 EUR
200+1.01 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
5000+0.69 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
auf Bestellung 32652 Stücke:
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8+2.29 EUR
13+1.45 EUR
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1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0035 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC042N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC042N03LS_DS_v02_01_en-3160536.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
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