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BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.49 EUR
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Technische Details BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
107+1.62 EUR
124+1.36 EUR
200+1.25 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.92 EUR
10000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
123+1.89 EUR
185+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 5110bsc042n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC042N03LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
5000+0.84 EUR
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BSC042N03LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC042N03LSGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
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1000+1.07 EUR
5000+0.92 EUR
10000+0.86 EUR
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BSC042N03LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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17+1.31 EUR
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2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 4200 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 8916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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77+3.25 EUR
123+1.89 EUR
185+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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