Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

Weitere Produktangebote BSC042NE7NS3GATMA1 nach Preis ab 1.38 EUR bis 6.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.69 EUR
63+2.65 EUR
100+2.06 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.95 EUR
250+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC042NE7NS3 G-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25 Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 12577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
51+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.05 EUR
50+3.39 EUR
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
250+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.69 EUR
63+2.65 EUR
100+2.06 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.95 EUR
250+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon-BSC042NE7NS3 G-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.38 EUR
10+2.24 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 12577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.65 EUR
10+2.99 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5 EUR
51+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.05 EUR
50+3.39 EUR
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
250+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 infineon-bsc042ne7ns3g-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH