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BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies


BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
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Technische Details BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0039 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5080 Stücke:
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Anzahl Preis
33+4.54 EUR
37+3.73 EUR
100+2.93 EUR
250+2.78 EUR
500+2.25 EUR
1000+1.76 EUR
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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37+3.73 EUR
100+2.93 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
auf Bestellung 6135 Stücke:
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0039 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17749 Stücke:
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