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BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.32 EUR
10000+1.27 EUR
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Technische Details BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 16770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.9 EUR
56+3.11 EUR
100+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.17 EUR
5000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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33+5.34 EUR
37+4.39 EUR
100+3.44 EUR
250+3.27 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.07 EUR
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc047n08ns3g-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5080 Stücke:
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33+5.34 EUR
37+4.56 EUR
100+3.64 EUR
250+3.55 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.34 EUR
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC047N08NS3_G_DataSheet_v02_08_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3540 Stücke:
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1+5.9 EUR
10+3.92 EUR
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS17736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 50 Stücke:
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2000+2.17 EUR
5000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
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37+4.56 EUR
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250+3.55 EUR
500+2.95 EUR
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1000+2.28 EUR
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Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 4700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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