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BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
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Technische Details BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC050N03LS_DS_v02_01_en-1226245.pdf MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
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2000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSC050N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276b953c2b Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
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Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 655bsc050n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
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