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BSC050N10NS5ATMA1

BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
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289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
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BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1894 Stücke:
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250+1.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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87+1.93 EUR
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auf Bestellung 4094 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON 3204710.pdf Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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BSC050N10NS5ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSC050N10NS5ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+1.42 EUR
124+1.36 EUR
250+1.32 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1092 Stücke:
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122+1.43 EUR
123+1.37 EUR
124+1.25 EUR
250+1.2 EUR
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BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
250+1.92 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.33 EUR
87+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N10NS5ATMA1 infineonbsc050n10ns5datasheetv0203en.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.33 EUR
87+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 15174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.13 EUR
10+2.92 EUR
100+2.15 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.65 EUR
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BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 7515 Stücke:
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4+5.74 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC050N10NS5ATMA1 3204710.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.2 EUR
90+2.59 EUR
250+1.92 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: Infineon
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