BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 177+ | 0.83 EUR |
| 187+ | 0.76 EUR |
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| 194+ | 0.67 EUR |
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| 500+ | 0.60 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC050N10NS5ATMA1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 14421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS-5Power-Transistor, 100V |
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BSC050N10NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |