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BSC050NE2LSATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.38 EUR
483+0.35 EUR
487+0.33 EUR
492+0.32 EUR
497+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4267 Stücke:
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443+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 443 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+0.45 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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1271+0.51 EUR
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4980 Stücke:
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277+0.63 EUR
278+0.62 EUR
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360649.pdf MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5267 Stücke:
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4+1.07 EUR
10+0.94 EUR
25+0.9 EUR
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500+0.65 EUR
1000+0.54 EUR
5000+0.44 EUR
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
222+1.05 EUR
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500+0.67 EUR
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 INFINEON BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
auf Bestellung 12286 Stücke:
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11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
463+0.38 EUR
483+0.35 EUR
487+0.33 EUR
492+0.32 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4267 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
443+0.39 EUR
473+0.37 EUR
474+0.36 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.45 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3905 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1271+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1271 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
277+0.63 EUR
278+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5267 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+1.07 EUR
10+0.94 EUR
25+0.9 EUR
100+0.73 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.54 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 988 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
194+1.3 EUR
222+1.05 EUR
289+0.74 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
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11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH