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BSC052N03LSATMA1

BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies

BSC052N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc1084350363
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
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Technische Details BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Weitere Produktangebote BSC052N03LSATMA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 INFINEON 1849653.html Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
233+1 EUR
263+0.82 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 INFINEON 1849653.html Description: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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BSC052N03LSATMA1
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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