BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.81 EUR |
| 10+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
| 2500+ | 1.3 EUR |
| 5000+ | 1.28 EUR |
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Technische Details BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC052N08NS5ATMA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 1.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BSC052N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V |
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BSC052N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC052N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC052N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC052N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V |
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