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BSC052N08NS5ATMA1

BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

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Technische Details BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC052N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3361150.pdf MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 10963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.15 EUR
10+1.97 EUR
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C301A0AA3A611C&compId=BSC052N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=79e01560211bef173b7b8e173045d7dfe6e4168d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C301A0AA3A611C&compId=BSC052N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=79e01560211bef173b7b8e173045d7dfe6e4168d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 83W
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