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BSC052N08NS5ATMA1

BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
494+0.36 EUR
502+0.35 EUR
510+0.33 EUR
518+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
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Technische Details BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.37 EUR
486+0.35 EUR
494+0.33 EUR
502+0.31 EUR
510+0.3 EUR
518+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 479 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.75 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
100+2.08 EUR
250+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
67+2.58 EUR
72+2.28 EUR
100+1.95 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
122+1.92 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.84 EUR
122+1.92 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
auf Bestellung 14465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.28 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.74 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 15685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4 EUR
100+2.75 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
479+0.37 EUR
486+0.35 EUR
494+0.33 EUR
502+0.31 EUR
510+0.3 EUR
518+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.75 EUR
10000+1.64 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+2.33 EUR
100+2.08 EUR
250+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4380 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+3.88 EUR
67+2.58 EUR
72+2.28 EUR
100+1.95 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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BSC052N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.84 EUR
122+1.92 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC052N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC052N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.84 EUR
122+1.92 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
auf Bestellung 14465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+3.28 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.74 EUR
5000+1.7 EUR
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BSC052N08NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
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4+6.2 EUR
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100+2.75 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC052N08NS5ATMA1 infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
verfügbar 4380 Stücke:
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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