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BSC052N08NS5ATMA1

BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
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Technische Details BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.0044 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC052N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3361150.pdf MOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9554 Stücke:
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BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc052n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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BSC052N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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