BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC059N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V |
auf Bestellung 17819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC059N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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