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BSC060P03NS3EGATMA1

BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

bsc060p03ns3eg_20.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies bsc060p03ns3eg_20.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
718+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 718 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies bsc060p03ns3eg_20.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.09 EUR
192+0.89 EUR
193+0.86 EUR
229+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 INFINEON BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
175+1.33 EUR
203+1.06 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies bsc060p03ns3eg_20.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
50+1.68 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 INFINEON BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 18287 Stücke:
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67+3.77 EUR
90+2.59 EUR
250+1.9 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
718+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 718 Stücke
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auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.09 EUR
192+0.89 EUR
193+0.86 EUR
229+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.55 EUR
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BSC060P03NS3EGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
175+1.33 EUR
203+1.06 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb
BSC060P03NS3EGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
50+1.68 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb
BSC060P03NS3EGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 18287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
90+2.59 EUR
250+1.9 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH