BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 1.23 EUR |
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Technische Details BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC061N08NS5ATMA1 nach Preis ab 1.01 EUR bis 3.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V |
auf Bestellung 7302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8 |
auf Bestellung 11736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC061N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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