BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC065N06LS5ATMA1 nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.01 EUR
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
auf Bestellung 15726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
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| BSC065N06LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Power dissipation: 46W |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC065N06LS5ATMA1 Produktcode: 214673
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
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