BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 0.66 EUR |
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Technische Details BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC066N06NSATMA1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.64 EUR
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 14997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC066N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 46W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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