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BSC066N06NSATMA1

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
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Technische Details BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.95 EUR
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
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5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.81 EUR
101+1.75 EUR
142+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
auf Bestellung 6994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.62 EUR
99+1.74 EUR
101+1.64 EUR
142+1.12 EUR
250+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 13697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
175+1.33 EUR
250+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 13697 Stücke:
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100+2.98 EUR
175+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC066N06NS_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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1000+1.07 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
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auf Bestellung 4630 Stücke:
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+1.81 EUR
101+1.75 EUR
142+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.62 EUR
99+1.74 EUR
101+1.64 EUR
142+1.12 EUR
250+1.05 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 13697 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
175+1.33 EUR
250+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 13697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
175+1.33 EUR
250+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 21700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.69 EUR
10+2.37 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
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