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BSC066N06NSATMA1

BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
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99+1.76 EUR
101+1.71 EUR
142+1.18 EUR
250+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC066N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c7d40ef70ec Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
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10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
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2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc066n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
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68+2.56 EUR
99+1.7 EUR
101+1.61 EUR
142+1.09 EUR
250+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15887 Stücke:
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100+2.83 EUR
250+1.89 EUR
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC066N06NS_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
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100+0.93 EUR
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auf Bestellung 2677 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
68+2.56 EUR
99+1.7 EUR
101+1.61 EUR
142+1.09 EUR
250+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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100+2.83 EUR
250+1.89 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 21700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.69 EUR
10+2.37 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.07 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
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BSC066N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+5.02 EUR
82+2.83 EUR
250+1.89 EUR
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