BSC0703LSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
auf Bestellung 6753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.67 EUR |
| 12+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details BSC0703LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC0703LSATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSC0703LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 46 Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0703LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 3331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0703LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
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