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BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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76+2.2 EUR
89+1.8 EUR
103+1.5 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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1000+0.9 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc070n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
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500+1.4 EUR
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2500+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 10661 Stücke:
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50+2 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 7891 Stücke:
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48+5.22 EUR
75+3.11 EUR
250+1.95 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.34 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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BSC070N10NS5ATMA1 Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1025000 Stücke:
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410+1.57 EUR
500+1.4 EUR
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10000+1.09 EUR
100000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 410 Stücke
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BSC070N10NS5ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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410+1.57 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 410 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.25 EUR
92+1.86 EUR
108+1.55 EUR
250+1.5 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 810000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+2.99 EUR
250+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
250+1.95 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.52 EUR
76+2.25 EUR
89+1.87 EUR
103+1.58 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.52 EUR
76+2.2 EUR
89+1.8 EUR
103+1.5 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.68 EUR
77+2.18 EUR
92+1.75 EUR
108+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
auf Bestellung 21193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.05 EUR
10+2.01 EUR
100+1.73 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.13 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1 Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
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BSC070N10NS5ATMA1 INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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