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BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 19414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Weitere Produktangebote BSC070N10NS5ATMA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 3.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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auf Bestellung 1777 Stücke:
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81+1.82 EUR
100+1.72 EUR
250+1.61 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.87 EUR
107+1.32 EUR
250+1.28 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 450000 Stücke:
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc070n10ns5datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.89 EUR
79+1.84 EUR
107+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.13 EUR
77+1.76 EUR
107+1.22 EUR
250+1.16 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 19414 Stücke:
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6+3.36 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.18 EUR
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1000+1.1 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6001 Stücke:
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+1 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+1 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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100+1.72 EUR
250+1.61 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPreis
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107+1.32 EUR
250+1.28 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 450000 Stücke:
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5000+1.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
51+2.89 EUR
79+1.84 EUR
107+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
47+3.13 EUR
77+1.76 EUR
107+1.22 EUR
250+1.16 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 19414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+3.36 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.06 EUR
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MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
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AnzahlPreis
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10+2.18 EUR
100+1.47 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.1 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.98 EUR
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6001 Stücke:
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BSC070N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 6001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH