Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC070N10NS5ATMA1
BSC070N10NS5ATMA1

BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC070N10NS5ATMA1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.92 EUR
171+0.84 EUR
233+0.59 EUR
245+0.54 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.29 EUR
131+1.09 EUR
135+1.02 EUR
156+0.85 EUR
250+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1025000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+1.41 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.93 EUR
100000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
395+1.41 EUR
500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+1.95 EUR
100+1.80 EUR
250+1.66 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 18150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.69 EUR
10+1.94 EUR
100+1.39 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5_DataSheet_v02_02_EN-3360694.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8
auf Bestellung 12852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+2.08 EUR
25+1.95 EUR
100+1.50 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002864758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 1032094116031800dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624a0bf29.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc070n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH