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BSC076N04NDATMA1

BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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2000+1.19 EUR
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC076N04ND_DS_v02_00_EN-1578735.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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2+3.31 EUR
10+2.03 EUR
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.98 EUR
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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AnzahlPrivatkunde
212+0.82 EUR
214+0.81 EUR
215+0.79 EUR
250+0.76 EUR
500+0.74 EUR
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AnzahlPrivatkunde
210+0.83 EUR
212+0.8 EUR
214+0.76 EUR
215+0.73 EUR
250+0.69 EUR
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30000+1.09 EUR
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130+1.3 EUR
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1000+1.21 EUR
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5000+1.02 EUR
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1000+1.12 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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2000+1.34 EUR
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BSC076N04NDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 34 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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