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BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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500+0.71 EUR
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC076N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3361110.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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25+1.24 EUR
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250+0.99 EUR
500+0.90 EUR
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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108+1.28 EUR
151+0.88 EUR
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
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Anzahl Preis
8+2.25 EUR
13+1.46 EUR
100+1.08 EUR
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2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48461 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4955bsc076n06ns3_rev2.4.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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