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BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc076n06ns3gdatasheetv0205en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
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Technische Details BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.49 EUR
10000+0.45 EUR
15000+0.43 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n06ns3gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
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auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.57 EUR
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auf Bestellung 160000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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auf Bestellung 4925 Stücke:
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157+1.11 EUR
158+1.08 EUR
188+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n06ns3gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4925 Stücke:
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144+1.21 EUR
157+1.07 EUR
158+1.02 EUR
188+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC076N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5887 Stücke:
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3+1.55 EUR
10+1.38 EUR
100+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
auf Bestellung 32453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
17+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON 1849713.html Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 47142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON 1849713.html Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 47030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
114+2.05 EUR
250+1.38 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.49 EUR
10000+0.45 EUR
15000+0.43 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.11 EUR
158+1.08 EUR
188+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.21 EUR
157+1.07 EUR
158+1.02 EUR
188+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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BSC076N06NS3GATMA1 Infineon-BSC076N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.55 EUR
10+1.38 EUR
100+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7
BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
auf Bestellung 32453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.09 EUR
17+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 1849713.html
BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 47142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
250+1.73 EUR
1000+1.11 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC076N06NS3GATMA1 1849713.html
BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 47030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
114+2.05 EUR
250+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH