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BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
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Technische Details BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm.

Weitere Produktangebote BSC077N12NS3GATMA1 nach Preis ab 1.62 EUR bis 8.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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auf Bestellung 18289 Stücke:
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72+2.48 EUR
75+2.37 EUR
100+2.05 EUR
500+1.89 EUR
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64+2.78 EUR
72+2.3 EUR
100+2.02 EUR
250+1.93 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.76 EUR
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64+2.78 EUR
72+2.39 EUR
100+2.13 EUR
250+2.09 EUR
500+2.06 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 6005 Stücke:
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100+5.32 EUR
250+3.56 EUR
1000+3 EUR
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BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc077n12ns3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
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1+6.24 EUR
10+3.44 EUR
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500+2.53 EUR
1000+2.43 EUR
2500+2.2 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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28+8.95 EUR
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BSC077N12NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18289 Stücke:
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75+2.37 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.78 EUR
72+2.3 EUR
100+2.02 EUR
250+1.93 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.76 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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64+2.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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BSC077N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 6005 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+5.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
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1+6.24 EUR
10+3.44 EUR
100+3.08 EUR
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1000+2.43 EUR
2500+2.2 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
auf Bestellung 13055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.02 EUR
10+4.56 EUR
50+3.51 EUR
100+3.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC077N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 6520 Stücke:
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28+8.95 EUR
51+4.57 EUR
250+3.72 EUR
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