BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.82 EUR |
| 64+ | 2.69 EUR |
| 65+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.48 EUR |
| 250+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Weitere Produktangebote BSC0802LSATMA1 nach Preis ab 2.07 EUR bis 9.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 8262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0802LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0802LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0802LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.82 EUR |
| 64+ | 2.63 EUR |
| 65+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.28 EUR |
| 250+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 3000+ | 2.07 EUR |
| BSC0802LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 8262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 4.11 EUR |
| 25+ | 3.97 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 250+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 1000+ | 3 EUR |
| BSC0802LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.5 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 2.86 EUR |
| 1000+ | 2.67 EUR |
| BSC0802LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.77 EUR |
| 50+ | 5.91 EUR |
| 250+ | 4.28 EUR |
| BSC0802LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.77 EUR |
| 50+ | 5.91 EUR |
| 250+ | 4.28 EUR |