Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N03MSGATMA1
BSC080N03MSGATMA1

BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies


4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.43 EUR
10000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote BSC080N03MSGATMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.49 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
133+0.54 EUR
150+ 0.48 EUR
167+ 0.43 EUR
177+ 0.41 EUR
250+ 0.4 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 133
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
133+0.54 EUR
150+ 0.48 EUR
167+ 0.43 EUR
177+ 0.41 EUR
250+ 0.4 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 133
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
160+0.97 EUR
221+ 0.68 EUR
250+ 0.64 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.39 EUR
3000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 160
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
140+1.11 EUR
158+ 0.94 EUR
160+ 0.9 EUR
221+ 0.63 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 140
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 23806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.36 EUR
15+ 1.17 EUR
100+ 0.81 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.58 EUR
2000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC080N03MSG_DS_v02_01_en-3359938.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar