BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 5.88 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| 2000+ | 1.97 EUR |
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Technische Details BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC082N10LSGATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSC082N10LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC082N10LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC082N10LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC082N10LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC082N10LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V |
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