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BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies


BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
auf Bestellung 4960 Stücke:

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Technische Details BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
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