BSC082N10LSGATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.11 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
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Technische Details BSC082N10LSGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC082N10LSGATMA1 nach Preis ab 1.95 EUR bis 7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC082N10LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC082N10LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC082N10LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 7154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC082N10LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.68 EUR |
| 46+ | 5.15 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.11 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| BSC082N10LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| 2000+ | 2.34 EUR |
| BSC082N10LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 4.64 EUR |
| 42+ | 4.05 EUR |
| 44+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.96 EUR |
| 250+ | 2.82 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |