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BSC084P03NS3GATMA1

BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm.

Weitere Produktangebote BSC084P03NS3GATMA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS16178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
239+0.98 EUR
269+0.8 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC084P03NS3_G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 6727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
auf Bestellung 7840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS16178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
104+2.24 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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BSC084P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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239+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 6727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c
BSC084P03NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
auf Bestellung 7840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC084P03NS3GATMA1 INFNS16178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC084P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
104+2.24 EUR
157+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH